[发明专利]提高有机硅聚合物裂解法制备碳化硅纳米材料纯度的方法无效

专利信息
申请号: 200910197788.9 申请日: 2009-10-28
公开(公告)号: CN101696011A 公开(公告)日: 2010-04-21
发明(设计)人: 万传云 申请(专利权)人: 上海应用技术学院
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36;B82B3/00
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 吴宝根
地址: 200235 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种提高有机硅聚合物裂解法制备碳化硅纳米材料纯度的方法,以模板法获得的聚硅烷纳米管为前驱体,然后将所述前驱体与聚氯乙烯或聚乙烯醇混合在一起,将得到的混合物置于管式炉中,通入氩气,以2℃/分的速率升温到1300-1600℃,恒温2小时,冷却,得到碳化硅和单质碳的混合物;将混合物在氧气或含氧气气氛下,以2℃/分的速率升温到850℃,恒温2小时,冷却,得到高纯度碳化硅纳米管。本发明操作简单,最大限度的保持了纳米结构的原始特性,所制备的碳化硅纳米材料纯度高,产物收率高,有良好的应用前景。
搜索关键词: 提高 有机硅 聚合物 裂解 法制 碳化硅 纳米 材料 纯度 方法
【主权项】:
一种提高有机硅聚合物裂解法制备碳化硅纳米材料纯度的方法,以模板法获得的聚硅烷或聚硅氧烷纳米管为前驱体,然后按照下列步骤操作:A、将所述前驱体与聚氯乙烯或聚乙烯醇混合在一起,将得到的混合物置于管式炉中,通入氩气,以2℃/分的速率升温到1300-1600℃,恒温2小时,冷却,得到碳化硅和单质碳的混合物;B、将上述碳化硅和单质碳的混合物在氧气或含氧气气氛下,以2℃/分的速率升温到850℃,恒温2小时,冷却,得到高纯度碳化硅纳米管。
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