[发明专利]一种横向三极管的结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200910197808.2 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101777578A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 易亮 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种横向三极管(Lateral Bipolar Transistor)，包括：衬底，在所述衬底中设有阱区，在所述阱区中设有基区、集电区和发射区。其特征在于，在所述阱区中，在所述发射区下层，紧靠发射区的位置设有高浓度掺杂区。如权利要求1所述的横向三极管的制造方法，包括：提供所述衬底，在所述衬底上形成所述阱区；在所述阱区中，在所述发射区下层，紧靠发射区的位置形成高浓度掺杂区；在所述阱区中分别形成所述基区、所述集电区和所述发射区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 三极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向三极管，包括：衬底，在所述衬底中设有阱区，在所述阱区中设有基区、集电区和发射区，构成一个横向三极管；其特征在于，在所述阱区中，在所述发射区下层，紧靠发射区的位置设有高浓度掺杂区。
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