[发明专利]遂穿氧化层的制造方法无效
| 申请号： | 200910197810.X | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101697342A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 李冰寒;孔蔚然;邵华;江红;李荣林;曹立 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种遂穿氧化层的制造方法，包括以下步骤：提供一半导体基底；在所述半导体基底上沉积一层遂穿氧化层；对所述遂穿氧化层进行湿法清洗，以调节所述遂穿氧化层的厚度。该制造方法，是在遂穿氧化层的制造过程中通过加入湿洗步骤来调节遂穿氧化层的厚度，这就省去了根据不同的产品分别建立不同的遂穿氧化层沉积厚度的操作流程菜单的步骤，不仅简化了产生的工艺步骤，使工厂在生产过程中能更容易的安排各类产品的运行顺序提高了生产效率，而且保证了遂穿氧化层的质量，确保了存储元件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种遂穿氧化层的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体基底；在所述半导体基底上沉积一层遂穿氧化层；对所述遂穿氧化层进行湿法清洗，以调节所述遂穿氧化层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
