[发明专利]校正生长腔温度的方法无效
| 申请号： | 200910197816.7 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101696495A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 杨建滨 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的校正生长腔温度的方法包括以下步骤：步骤1，绘制多晶硅折射率-温度曲线；步骤2，以步骤1绘制的多晶硅折射率-温度曲线为依据，校正生长腔的温度。该方法操作简单、成本低且校正精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 校正 生长 温度 方法 | ||
【主权项】：
一种校正生长腔温度的方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤1，绘制多晶硅折射率-温度曲线；步骤2，以步骤1绘制的多晶硅折射率-温度曲线为依据，校正生长腔的温度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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