[发明专利]刻蚀工艺用的挡片及防止挡片跳片的方法有效
| 申请号： | 200910197820.3 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101697340A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 夏军;殷冠华;许昕睿;林俊毅 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/316;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀工艺用的挡片，包括晶圆衬底及其上的暖机膜层，所述晶圆衬底下具有一层防止跳片的绝缘膜层。本发明还公开了一种防止挡片跳片的方法，包括在所述挡片的晶圆衬底底部生长一层防止跳片的绝缘膜层。本发明具有以下优点：可以增加挡片的等效电阻，以此来削弱挡片在放电时的振动，由此可以有效减小跳片的几率；本发明增加绝缘膜层也增加了挡片的重量，可以减小振动的强度；另外绝缘层可反复使用，具有成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 工艺 防止 挡片跳片 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀工艺用的挡片，包括晶圆衬底及其上的暖机膜层，其特征在于，所述晶圆衬底下具有一层防止跳片的绝缘膜层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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