[发明专利]一种用于静电放电的晶闸管有效
| 申请号： | 200910198070.1 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102054836A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 何军;单毅 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/78;H01L29/423;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于静电放电的晶闸管，包括：寄生PNP管、寄生NPN管及短沟道NMOS管；所述寄生PNP管的发射极连接阳极接线柱，其基极通过N阱的寄生电阻连接阳极接线柱；其集电极连接寄生NPN管的基极，并通过P阱的寄生电阻连接阴极接线柱；所述寄生NPN管的发射极连接阴极接线柱，其集电极通过N阱的寄生电阻连接阳极接线柱；所述短沟道NMOS管的漏极通过N阱的寄生电阻连接阳极接线柱，其源极连接阴极接线柱，所述短沟道NMOS管的栅长小于0.35微米。本发明通过在一定范围内变化短沟道NMOS管的实际栅长，能够得到较低的且可以调节的晶闸管触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 静电 放电 晶闸管 | ||
【主权项】：
一种用于静电放电的晶闸管，其特征在于，包括：寄生PNP管、寄生NPN管及短沟道NMOS管；所述寄生PNP管的发射极连接阳极接线柱，其基极通过N阱的寄生电阻连接阳极接线柱；其集电极连接寄生NPN管的基极，并通过P阱的寄生电阻连接阴极接线柱；所述寄生NPN管的发射极连接阴极接线柱，其集电极通过N阱的寄生电阻连接阳极接线柱；所述短沟道NMOS管的漏极通过N阱的寄生电阻连接阳极接线柱，其源极连接阴极接线柱，所述短沟道NMOS管的栅长小于0.35微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
