[发明专利]半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200910198114.0 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102054749A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王琪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底，衬底形成有集成电路器件和覆盖集成电路器件的保护层，所述保护层为氧化硅；在保护层表面形成第一介质层，所述第一介质层为碳掺杂的氧化硅；在第一介质层表面形成第二介质层，所述第二介质层和第一介质层构成金属层间绝缘层；采取碳掺杂的氧化硅与氧化硅选择刻蚀比高的刻蚀工艺，在第二介质层和第一介质层内形成暴露保护层的金属沟槽，用于制作第一金属层。相对于现有技术，本发明半导体器件的制作方法，形成由第一介质层和第二介质层构成的金属层间绝缘层，并仅需一道刻蚀工艺制作金属沟槽，能够降低半导体器件的厚度，减少工艺步骤，提高半导体器件的性能及其生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底形成有集成电路器件和覆盖所述集成电路器件的保护层，所述保护层为氧化硅；在所述保护层表面形成第一介质层，所述第一介质层为碳掺杂的氧化硅；在所述第一介质层表面形成第二介质层，所述第二介质层和第一介质层构成金属层间绝缘层；采取碳掺杂的氧化硅与氧化硅选择刻蚀比高的刻蚀工艺，在所述第二介质层和第一介质层内形成暴露所述保护层的金属沟槽，用于制作第一金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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