[发明专利]一种现场可编程门阵列的抗辐射性能快速模拟方法有效
| 申请号： | 200910198448.8 | 申请日： | 2009-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102054056A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王伶俐;周学功;童家榕;刘智斌;胡光喜 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G01R31/3185 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 包兆宜 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于电子技术领域，具体涉及一种现场可编程门阵列的抗辐射性能快速模拟方法。该方法提出了一种与具体硬件结构无关、基于权重的错误注入模型，用于准确模拟基于SRAM的FPGA抗辐射性能；同时提出了基于JTAG边界扫描技术和动态局部重配置技术的错误注入模拟平台。结合二者的错误注入系统不但具有良好的通用性，而且能更准确更高效地进行模拟，同时成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 现场 可编程 门阵列 辐射 性能 快速 模拟 方法 | ||
【主权项】：
一种现场可编程门阵列的抗辐射性能快速模拟方法，其特征在于，采用错误注入系统，基于权重的错误注入模型，同时结合JTAG边界扫描技术和动态局部重配置技术的错误注入模拟平台，模拟FPGA的抗辐射性能。
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