[发明专利]监测曝光机聚焦的方法无效
| 申请号： | 200910198488.2 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102053506A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 安辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/207 | 分类号： | G03F7/207;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监测曝光机聚焦的方法，包括：对半导体晶圆进行预处理、打底胶，并形成光刻胶膜；利用固定的曝光能量和渐变的曝光机焦平面偏移值对光刻胶膜进行曝光，然后后烘并显影，形成图案；测量所形成的图案的关键尺寸，得到关键尺寸与曝光机焦平面偏移值之间的对应关系；计算得到曝光机的第一最佳焦平面；重复以上步骤，得到曝光机的第二最佳焦平面；如果第二最佳焦平面不同于第一最佳焦平面，则确定曝光机的聚焦发生偏移。该方案只需占用曝光机几分钟的时间对半导体晶圆进行曝光，减少了曝光机聚焦监测所需的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 曝光 聚焦 方法 | ||
【主权项】：
一种监测曝光机聚焦的方法，包括：对半导体晶圆进行预处理、打底胶，并形成光刻胶膜；利用固定的曝光能量和渐变的曝光机焦平面偏移值对所述光刻胶膜进行曝光，然后进行后烘并显影，形成图案；测量所形成的图案的关键尺寸，得到关键尺寸与所述曝光机焦平面偏移值之间的对应关系；计算得到所述曝光机的第一最佳焦平面；重复以上步骤，得到所述曝光机的第二最佳焦平面；如果第二最佳焦平面不同于第一最佳焦平面，则确定所述曝光机的聚焦发生偏移。
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