[发明专利]改善半导体器件结深特性的方法有效
| 申请号： | 200910198489.7 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102054699A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 赵猛;张立夫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善半导体器件结深特性的方法，该方法包括：在半导体器件的衬底上进行半导体掺杂物的离子注入后，在半导体器件的衬底上形成阱；在半导体器件的衬底形成隔离浅沟槽后，在半导体器件的衬底上形成栅极；对栅极表面及半导体器件衬底表面再氧化后，对栅极和半导体器件衬底进行轻掺杂；形成所述栅极的氮氧化物侧墙，对栅极和半导体器件衬底进行掺杂，在半导体器件沉积形成漏极和源极后，进行快速热退火；采用自对准硅化物方法在栅极表面和半导体衬底沉积金属，形成金属化硅层，然后进行快速退火处理后，刻蚀掉未反应的金属。本发明提供的方法使得半导体器件的结深变浅，提高所制作的半导体器件的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 半导体器件 特性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善半导体器件结深特性的方法，该方法包括：在半导体器件的衬底上进行半导体掺杂物的离子注入后，在半导体器件的衬底上形成阱；在半导体器件的衬底形成隔离浅沟槽后，在半导体器件的衬底上形成栅极；对栅极表面及半导体器件衬底表面再氧化后，对栅极和半导体器件衬底进行轻掺杂；形成所述栅极的氮氧化物侧墙，对栅极和半导体器件衬底进行掺杂，在半导体器件沉积形成漏极和源极后，进行快速热退火；采用自对准硅化物方法在栅极表面和半导体衬底沉积金属，形成金属化硅层，然后进行快速退火处理后，刻蚀掉未反应的金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910198489.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型风扇灯
- 下一篇：一种脆性材料罩体和金属连接环粘接的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
