[发明专利]检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法及装置有效
| 申请号： | 200910198490.X | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102054721A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 安辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法，首先在半导体晶圆上旋涂涂层，并在对该半导体晶圆显影之前检测涂层的厚度变化，将所检测的厚度变化与预定的阈值进行比较；如果所述厚度变化小于预定的阈值，则对半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理；否则拒绝对所述半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理。本发明还提供一种检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的装置。该方案在对晶圆进行显影之前检测半导体晶圆上涂层的涂布情况，仅对涂层的涂布情况良好的晶圆进行后续工艺步骤的处理，从而减少了设备资源及材料的浪费。还可以在检测到涂层的涂布情况不佳时，及时对涂胶工序进行调整，从而提高光刻工艺的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 半导体 表面 涂层 情况 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法，包括：在半导体晶圆的表面上旋涂涂层；在对所述半导体晶圆显影之前检测所述涂层的厚度变化；将所检测的厚度变化与预定的阈值进行比较；如果所述厚度变化小于预定的阈值，则对所述半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理；否则拒绝对所述半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910198490.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
