[发明专利]防止光刻工艺中喷嘴内胶液结晶的方法无效
| 申请号： | 200910198492.9 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102053500A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 安辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止光刻工艺中喷嘴内胶液结晶的方法，该方法在空喷之后喷胶；在喷胶结束之后回吸胶液；然后将用于喷胶的喷嘴置于溶剂中。由于使用溶剂将喷嘴中回吸的胶液与大气环境隔离开，减少了与胶液反应的空气量，因而可以延长空喷的周期，或者在理想情况下，只需要在下次使用之前进行空喷去掉结晶的胶液，从而减少了空喷的次数，降低了光刻工艺的成本，结果降低了半导体器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 光刻 工艺 喷嘴 内胶液 结晶 方法 | ||
【主权项】：
一种防止光刻工艺中喷嘴内胶液结晶的方法，该方法包括：在空喷之后喷胶；喷胶结束后回吸胶液；将用于喷胶的喷嘴置于溶剂中。
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