[发明专利]一种可减小侧墙坡度的氧化层制造方法有效
| 申请号： | 200910198550.8 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101719468A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 郭国超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可减小侧墙坡度的氧化层制造方法。现有技术并未使用氢氟酸缓冲腐蚀液进行清洗就直接在氧化硅上进行光刻和湿法刻蚀，导致侧墙坡度较大。本发明先通过热氧化工艺在硅衬底上生长氧化硅，然后使用氢氟酸缓冲腐蚀液清洗并进行烘干，之后涂覆光刻胶并进行烘烤，接着进行曝光工艺在光刻胶上形成氧化层的图形，然后进行显影工艺，之后使用氢氟酸缓冲腐蚀液刻蚀形成氧化层，最后去除光刻胶。本发明通过光刻和刻蚀工艺之前的氢氟酸缓冲腐蚀液清洗，有效降低了氧化层表面的致密性及其与光刻胶的粘贴力，从而有效减小侧墙坡度，并有效提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 坡度 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可减小侧墙坡度的氧化层制造方法，其包括以下步骤：a、通过热氧化工艺在硅衬底上生长氧化硅；b、涂覆光刻胶并进行烘烤；c、进行曝光工艺在光刻胶上形成氧化层的图形；d、进行显影工艺；e、使用氢氟酸缓冲腐蚀液刻蚀形成氧化层；f、去除光刻胶；其特征在于，在步骤a和b间还包括使用氢氟酸缓冲腐蚀液清洗并进行烘干的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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