[发明专利]双镶嵌结构的制造方法

摘要

本发明提供了一种双镶嵌结构的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成覆盖层、介质层、介质抗反射层以及隔离层；在隔离层上形成具有通孔图形的抗蚀剂层，刻蚀所述隔离层、介质抗反射层以及介质层形成通孔；去除具有通孔图形的抗蚀剂层；在通孔内以及隔离层上形成填充层；去除隔离层上的填充层，并去除所述通孔内的部分填充层；在隔离层上形成具有沟槽图形的抗蚀剂层，刻蚀隔离层、介质抗反射层以及部分介质层形成沟槽；去除具有沟槽图形的抗蚀剂层；去除通孔内剩余的填充层，并去除通孔内的覆盖层；在通孔和沟槽内形成金属层，以形成双镶嵌结构。本发明可防止形成栅栏缺陷，提高了产品的良率。

主权项

一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成覆盖层、介质层、介质抗反射层以及隔离层；在所述隔离层上形成具有通孔图形的抗蚀剂层，并以所述具有通孔图形的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述隔离层、介质抗反射层以及介质层形成通孔，所述通孔暴露出所述覆盖层；去除所述具有通孔图形的抗蚀剂层；在所述通孔内以及所述隔离层上形成填充层；去除所述隔离层上的填充层，并去除所述通孔内的部分填充层；在所述隔离层上形成具有沟槽图形的抗蚀剂层，并以所述具有沟槽图形的抗蚀剂层为掩膜，刻蚀所述隔离层、介质抗反射层以及部分介质层形成沟槽，所述沟槽的位置与所述通孔的位置对应并与所述通孔连通；去除所述具有沟槽图形的抗蚀剂层；去除所述通孔内剩余的填充层，并去除所述通孔内的覆盖层，直至暴露出所述半导体衬底；在所述通孔和所述沟槽内形成金属层，以形成双镶嵌结构。