[发明专利]一种共享字线的分栅式闪存的编程方法无效
| 申请号： | 200910198557.X | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101740120A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 顾靖;胡剑;孔蔚然;张博;吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/26;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种共享字线的分栅式闪存的编程方法，所述方法包括：分别对闪存的字线、第一控制栅、第二控制栅和源极区域施加电压，实现第一存储位单元编程，其中源极区域施加电压范围为2.5V至3.6V，第一控制栅施加电压范围为10V至16V，本发明提出的共享字线的分栅式闪存的编程方法，在保证闪存的编程功能不受影响的前提下，降低了源极区域或者漏极区域上所施加的电压，从而无需在源极区域或漏极区域使用高压管，减小了芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共享 分栅式 闪存 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种共享字线的分栅式闪存的编程方法，所述闪存包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；字线，设置于所述源极区域和漏极区域之间；第一存储位单元，位于所述字线与所述源极区域之间；第二存储位单元，位于所述字线与所述漏极区域之间，其中所述两个存储位单元与所述字线之间由隧穿氧化层隔开，所述两个存储位单元分别具有第一控制栅、第一浮栅和第二控制栅、第二浮栅，所述两个控制栅具有间隔地分别设置于所述两个浮栅上；其特征在于所述方法包括：分别对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅和所述源极区域施加电压，实现第一存储位单元编程，其中所述源极区域施加电压范围为2.5V至3.6V，所述第一控制栅施加电压范围为10V至16V。
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