[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 200910198581.3 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102054684A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;韩秋华;张海洋;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括步骤：提供晶片；在所述晶片上形成缓冲层，所述缓冲层的厚度从边缘向中央渐变；在所述缓冲层上形成底部抗反射层；在所述底部抗反射层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光和显影，从而在光刻胶层中形成开口；利用所述光刻胶层做掩膜，对所述底部抗反射层、缓冲层进行第一刻蚀，在底部抗反射层和缓冲层中形成开口；利用所述缓冲层做掩膜，对所述晶片进行第二刻蚀，在晶片中形成沟槽。本发明减小晶片中的中央区域的沟槽和晶片中的边缘区域的沟槽的特征尺寸差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供晶片；在所述晶片上形成缓冲层，所述缓冲层的厚度从边缘向中央渐变；在所述缓冲层上形成底部抗反射层；在所述底部抗反射层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光和显影，从而在光刻胶层中形成开口；利用所述光刻胶层做掩膜，对所述底部抗反射层、缓冲层进行第一刻蚀，在底部抗反射层和缓冲层中形成开口；利用所述缓冲层做掩膜，对所述晶片进行第二刻蚀，在晶片中形成沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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