[发明专利]铜互连结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200910198586.6 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102054756A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铜互连结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有介质层，所述介质层内有开口，所述开口内形成有阻挡层并填充有金属铜；在所述开口上方形成金属帽盖，所述金属帽盖覆盖所述开口内的金属铜，所述金属帽盖的材料选自钽、氮化钽、钛、氮化钛或是它们的组合。本发明解决了金属帽盖形成过程中容易发生扩散污染的问题，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连结构的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有介质层，所述介质层内形成有开口，所述开口内形成有阻挡层并填充有金属铜；在所述开口上方形成金属帽盖，所述金属帽盖覆盖开口内的金属铜；其特征在于，所述金属帽盖的材料选自钽、氮化钽、钛、氮化钛或是它们的组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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