[发明专利]一种多晶硅层间介质刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910198788.0 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102054679A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 吴爱明;李俊;庄晓辉;张世栋;王三坡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅层间介质刻蚀方法，该方法包括：在多晶硅层上沉积多晶硅层间介质后，光刻和第一干法刻蚀去除多晶硅层间介质，以多晶硅层为停止层，然后第二干法刻蚀多晶硅层，最后湿法刻蚀氧化层。本发明提供的方法能够得到较平坦的前层氧化层，减小硅衬底的损伤，降低高压器件氧化层的电性厚度的失效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅层间 介质 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅层间介质的刻蚀方法，应用于闪存中制造外围电路区过程中，该方法包括：提供晶圆，所述晶圆的器件面上具有前层氧化层；在所述前层氧化层上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层进行第一光刻后第一干法刻蚀存储单元区的多晶硅层形成浮栅；在所述多晶硅层上沉积多晶硅层间介质，包括上氧化层，氮化层和下氧化层三部分；对所述外围电路区多晶硅层间介质进行第二光刻和第二干法刻蚀；第三干法刻蚀外围电路区多晶硅层；湿法刻蚀外围电路区前层氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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