[发明专利]一种可控硅整流器静电防护器件有效
| 申请号： | 200910198847.4 | 申请日： | 2009-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102064173A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 朱立群;彭云武;严淼 | 申请（专利权）人： | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/74;H01L29/06;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可控硅整流器静电防护器件，包括P型衬底，在所述P型衬底上包括有N阱注入区(32)和P阱注入区(30)；所述N阱注入区(32)内包括有第一N+注入区(16)和第一P+注入区(18)；所述P阱注入区(30)内包括有第三N+注入区(26)、第四N+注入区(22)和第二P+注入区(28)，所述第三N+注入区(26)和第四N+注入区(22)之间的P阱注入区(30)表面覆盖有场氧化层及覆盖场氧化层上的导电层(24)。本发明提供的可控硅整流器静电防护器件，结合了传统的SCR静电防护特性和场氧化层NMOS管静电防护特性，以较小的面积、高效的防静电能力对集成电路输入输出口进行ESD保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控 硅整流器 静电 防护 器件 | ||
【主权项】：
一种可控硅整流器静电防护器件，其特征在于，所述可控硅整流器静电防护器件包括P型衬底(10)，在所述P型衬底(10)上包括有N阱注入区(32)和P阱注入区(30)；所述N阱注入区(32)内包括有第一N+注入区(16)和第一P+注入区(18)；所述P阱注入区(30)内包括有第三N+注入区(26)、第四N+注入区(22)和第二P+注入区(28)，所述第三N+注入区(26)和第四N+注入区(22)之间的P阱注入区(30)表面覆盖有场氧化层及覆盖场氧化层上的导电层(24)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
