[发明专利]沟槽式场效应管及其制备方法无效
| 申请号： | 200910198989.0 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101764155A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周;克里丝;彭树根;张雨 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沟槽式场效应管及其制备方法，属于半导体器件领域，通过在沟槽底部的栅氧化层与沟槽多晶硅栅之间引入一厚度较厚的绝缘层，增加了多晶硅栅和外延层以及作为漏区的衬底层之间的相对距离，即相当于增加了栅-漏电容两极板间的距离，从而在不改变多晶硅栅面积、不增大器件导通电阻的前提下，减小了沟槽式场效应管的栅-漏电容，大大缩短了沟槽式场效应管在开关过程中对栅-漏电容的充放电时间，提高了沟槽式场效应管的开关速度，降低其动态损耗，使器件性能有了很大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 场效应 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽式场效应管，包括：第一导电类型的半导体衬底；覆盖所述半导体衬底上表面的第一导电类型的外延层；位于所述外延层内的第一导电类型源掺杂区和第二导电类型沟道区；被所述源掺杂区和沟道区包围的沟槽多晶硅栅；分别用于将所述沟槽多晶硅栅和有源区、体区隔开的侧间隙壁和栅氧化层；位于所述外延层上表面的金属源电极、栅电极以及位于所述半导体衬底下表面的金属漏电极；其特征在于，所述沟槽式场效应管还包括：位于所述栅氧化层与所述沟槽多晶硅栅之间的绝缘层，所述绝缘层与所述栅氧化层和沟槽多晶硅栅均相邻接触。
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