[发明专利]双向阻断型浪涌保护器件有效
| 申请号： | 200910199068.6 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101702508A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 苏海伟;张关保;张婷;吴兴农;李星 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/22 | 分类号： | H02H3/22;H02H3/06 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的双向阻断型浪涌保护器件，由耗尽型场效应晶体管和电阻构成，第一、第二耗尽型场效应晶体管的源极分别与第三耗尽型场效应晶体管的源极和漏极相串联，第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管的源极相连；第三耗尽型场效应晶体管的栅极与第一、第二电阻均相连，第一电阻的另一端与模块输入端相连，第二电阻的另一端与模块输出端相连。本发明形成类似可重置保险丝的可变电阻电路，可无限次重复阻断复位，双向阻断型浪涌保护器件还可实现正反向浪涌的阻断，提升阻断型浪涌保护器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 阻断 浪涌保护器 | ||
【主权项】：
一种双向阻断型浪涌保护器件，由耗尽型场效应晶体管和电阻构成，其特征在于：包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管、第三耗尽型场效应晶体管、第一电阻以及第二电阻，所述的第一耗尽型场效应晶体管的源极及第二耗尽型场效应晶体管的源极分别与第三耗尽型场效应晶体管的源极和漏极相连，构成串联结构，其中，第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管的源极相连；第三耗尽型场效应晶体管的栅极与第一电阻、第二电阻均相连，第一电阻的另一端与模块输入端相连，第二电阻的另一端与模块输出端相连。
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