[发明专利]带MOS电容的增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法有效
| 申请号： | 200910199382.4 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102081963A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;董存霖;孟超;程宽;马亚楠;严冰 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/409;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法，属于嵌入式动态随机存储器(eDRAM)技术领域。该发明提供的增益单元eDRAM单元在存储节点处增加一个MOS电容，从而提高增益单元eDRAM单元的数据保持时间，降低刷新频率，减小由该增益单元eDRAM单元组成的存储器的功耗。同时由于所增加的MOS电容可以与标准MOS工艺兼容，因此具有制备成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电容 增益 单元 edram 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种增益单元eDRAM单元，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线以及存储节点处的等效寄生电容，其特征在于，还包括置于所述存储节点处的、用于增加增益单元eDRAM单元的存储电荷的MOS电容，所述MOS电容的制造与标准MOS工艺兼容。
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