[发明专利]共享字线的分栅式闪存

摘要

本发明提出一种共享字线的分栅式闪存，将两个存储位单元共享使用一个字线，通过对字线，两个控制栅以及源漏极区域施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除，共享位线的结构使得分栅式闪存其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片的面积，同时也可以避免过擦除的问题。具有尖端的浮栅与字线形成自对准结构，有利于器件擦除时隧穿电场的增强，从而能够有效降低擦除电压。

主权项

一种共享字线的分栅式闪存，其特征在于，包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；第一存储单元，位于所述沟道区与所述源极区域上方；第二存储单元，位于所述沟道区与所述漏极区域上方，所述第一存储单元和第二存储单元分别包括第一控制栅、第一浮栅和第二控制栅、第二浮栅，所述两个控制栅具有间隔地分别设置于所述两个浮栅上，所述第一浮栅和第二浮栅相邻一端分别向上形成尖端；字线，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第一浮栅和第二浮栅之间，所述第二部分位于第一部分上方并向两侧延伸至所述第一浮栅和第二浮栅上方，所述第二部分与所述第一浮栅和第二浮栅的所述尖端分别形成自对准字线，所述字线和所述第一存储单元和第二存储单元由绝缘介电层隔离开。