[发明专利]宽度偏移量的确定方法无效
| 申请号： | 200910199726.1 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101726274A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈静;伍青青;罗杰馨;肖德元;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01B21/02 | 分类号： | G01B21/02;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种确定MOSFET器件BSIM模型参数宽度偏移量Wint的方法。首先利用半导体参数测试仪测量至少3个拥有相同沟道长度、不同沟道宽度的MOSFET器件的Ids-Vds输出特性；然后求出漏极电流Ids对漏极电压Vds的二阶导数Ids″；通过延长Ids″与MOSFET沟道设计宽度Wdrawn的曲线便可容易得到准确的MOSFET器件的宽度偏移量Wint。 | ||
| 搜索关键词： | 宽度 偏移 确定 方法 | ||
【主权项】：
宽度偏移量的确定方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)提供至少三个相同沟道长度L，其中L≥10um、不同沟道宽度设计值Wdrawnd的MOSFET器件；2)选定快速扫描电压递增幅度值Δds，根据该快速扫描电压递增幅度值ΔVds分别测量上述MOSFET器件的Ids-Vds电学特性并绘制各自的Ids-Vds曲线；3)采用数值二阶微分法对所得的漏极电流Ids进行数学变换，获得漏极电流Ids对漏极电压Vds的二阶微分值Ids″；4)选择漏极电压Vds，在直角坐标系中绘制所有器件在该漏极电压Vds下的二阶微分值Ids″与沟道宽度设计值Wdrawn的线性曲线，该漏极电压Vds的选择保证MOSFET器件工作在线性区；5)延长步骤4)获得的线性曲线直至与直角坐标系中的沟道宽度设计值Wdrawn相交，交点值的一半即为宽度偏移量。
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