[发明专利]一种自供电集成电路芯片及其制备方法无效
申请号: | 200910199879.6 | 申请日: | 2009-12-03 |
公开(公告)号: | CN101719496A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 吴东平;张世理;娄浩涣 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L29/78;H01L31/042;H01L21/77;H01L21/336;H01L31/18 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于集成电路技术领域,具体公开了一种集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的集成电路和太阳能电池。所述的集成电路包含金属-氧化物-半导体效应晶体管。该集成电路和太阳能电池在同一个半导体衬底上同时形成。形成该太阳能电池的工艺可以和形成该集成电路的工艺兼容。该集成电路可以由该太阳能电池供电,从而形成自供电的集成电路。 | ||
搜索关键词: | 一种 供电 集成电路 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路芯片,其特征在于,该芯片包括一个半导体衬底以及在该衬底上的集成电路和太阳能电池;所述的集成电路由所述的太阳能电池进行供电;所述的集成电路包含金属-氧化物-半导体场效应晶体管;所述的金属-氧化物-半导体场效应晶体管为N型金属-氧化物-半导体,或P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管;所述的太阳能电池包括第一电极层、第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间的栅极结构、和置于第二电极层和栅极结构之间的半导体衬底,其中第一电极层具有丝网状的结构,并且其中由于从第一电极层侧入射的光而产生光电动势。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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