[发明专利]一种三极管基区结构有效
| 申请号： | 200910199970.8 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101710589A | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三极管基区结构，所述三极管包括发射区、基区和集电区，所述基区位于所述发射区和所述集电区之间，所述基区包括从集电区一侧到发射区一侧依次形成的无掺杂多晶硅层、锗硅层或锗硅炭层以及掺杂多晶硅层，其中所述无掺杂多晶硅层和所述集电区相连，所述掺杂多晶硅层和所述发射区相连。本发明在基区的锗硅层或锗硅炭层和集电区之间，淀积一层无掺杂多晶硅层，从而改善了在集电极上生长锗硅层或锗硅炭层而导致的锗硅之间的晶格失配的问题，有利于后续光刻工艺的对准操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三极管 结构 | ||
【主权项】：
一种三极管基区结构，所述三极管包括发射区、基区和集电区，所述基区位于所述发射区和所述集电区之间，其特征在于所述基区包括从集电区一侧到发射区一侧依次形成的无掺杂多晶硅层、锗硅层或锗硅炭层以及掺杂多晶硅层，其中所述无掺杂多晶硅层和所述集电区相连，所述掺杂多晶硅层和所述发射区相连。
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