[发明专利]位线及非易失性存储器的制造方法有效
| 申请号： | 200910199988.8 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102087991A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 金泰圭;金钟雨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种位线及非易失性存储器的制造方法。所述位线的制造方法包括：在已形成有ONO叠层结构的衬底上形成第一导电层；在第一导电层上形成第一遮挡层；蚀刻所述第一遮挡层及第一导电层，暴露出待形成位线的区域；进行第一离子注入形成轻掺杂位线；继续在所述衬底上形成第二遮挡层；蚀刻所述第二遮挡层，暴露出轻掺杂位线；进行第二离子注入形成重掺杂位线。所述位线的制造方法能获得低电阻的位线，从而减少位线扰乱、提高编程/擦除速度，也提高了可靠性检测良率。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种位线的制造方法，其特征在于，包括：在已形成有ONO叠层结构的衬底上形成第一导电层；在第一导电层上形成第一遮挡层；蚀刻所述第一遮挡层及第一导电层，暴露出待形成位线的区域；进行第一离子注入形成轻掺杂位线；继续在所述衬底上形成第二遮挡层；蚀刻所述第二遮挡层，暴露出轻掺杂位线；进行第二离子注入形成重掺杂位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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