[发明专利]集成电路电感及其制作方法无效
| 申请号： | 200910199994.3 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102087995A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈真;林永锋;黄琳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/01;H01F37/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种集成电路电感，包括：半导体衬底；半导体衬底上的介电层，所述介电层中形成有介电层空腔，介电层空腔深度小于介电层厚度；介电层上形成有集成电路电感，所述集成电路电感的位置与位于介电层中介电层空腔位置相对应。相应的，本发明还提供了一种集成电路电感的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，所述介电层中形成有牺牲层，所述牺牲层厚度小于介电层的厚度；在介电层上形成集成电路电感，所述集成电路电感位置与牺牲层位置相对应；移除所述牺牲层，形成介电层空腔。所述介电层空腔可以降低集成电路电感下方介电材料的介电系数，减小寄生电容，从而提高了集成电路电感的品质因子。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 电感 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路电感的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，所述介电层中形成有牺牲层，所述牺牲层厚度小于介电层的厚度；在介电层上形成集成电路电感，所述集成电路电感位置与牺牲层位置相对应；移除所述牺牲层，形成介电层空腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
