[发明专利]化学机械抛光的方法有效
| 申请号： | 200910200019.X | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102085636A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 彭澎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B37/04;H01L21/02;H01L21/70;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学机械抛光的方法，所述方法为将化学机械抛光设备更换耗材后到所述化学机械抛光设备达到最佳工作状态时的时间段定义为磨合期，在所述磨合期内对晶片以固定的抛光时间进行抛光，在所述磨合期之外对晶片以不固定的抛光时间进行抛光。根据本发明的化学机械抛光方法能够有效解决更换耗材后的初始若干批次晶片抛光程度不够的问题，以便降低半导体器件生产的成本，减小生产周期，减少人工负荷。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械抛光的方法，其特征在于，将化学机械抛光设备更换耗材后到所述化学机械抛光设备达到最佳工作状态时的时间段定义为磨合期，在所述磨合期内对晶片以固定的抛光时间进行抛光，在所述磨合期之外对晶片以不固定的抛光时间进行抛光。
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