[发明专利]高密度深刻蚀正弦槽型光栅偏振分束器无效

专利信息
申请号: 200910200158.2 申请日: 2009-12-09
公开(公告)号: CN101718883A 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 周常河;冯吉军 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 张泽纯
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种高密度深刻蚀正弦槽型光栅偏振分束器,光栅周期和波长的比值为0.789,深度和周期的比值为4.938时,对从远红外到深紫外波段范围内的波长,能够实现TE偏振光和TM偏振光分别在0级和-1级透射。对入射波长为1064纳米波段,该光栅的周期为839纳米、刻蚀深度为4.010~4.273微米时,0级光同-1级光的消光比均大于100,TE偏振光的0级透射衍射效率和TM偏振光的-1级透射衍射效率分别高于98.68%和99.54%,实现了将两种偏振模式相互垂直的光分为不同的方向。本发明由光学全息记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成,可以低成本、大批量生产。
搜索关键词: 高密度 深刻 正弦 光栅 偏振 分束器
【主权项】:
一种高密度深刻蚀正弦槽型石英透射光栅偏振分束器,其特征在于所述的深刻蚀正弦槽型石英透射光栅的周期和波长的比值为0.789,深度和周期的比值为4.938。
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