[发明专利]使用窄禁带宽度材料源极的隧穿晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200910200624.7 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101764156A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;孙清清;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种使用窄禁带宽度材料源极的隧穿场效应晶体管(TFET)及其制备方法。该隧穿场效应晶体管的源极采用窄禁带宽度材料，并采用U形沟道结构。由于该TFET采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流得到提升，同时，由于该TFET采用了U形沟道，它的漏电流也得到抑制。本发明制造的TFET具有低漏电流、高驱动电流、集成度高等优点，采用本发明的集成电路的静态功耗可以得到降低，集成度也可以得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 窄禁带 宽度 材料 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管结构，其特征在于，该隧穿场效应晶体管的源极采用窄禁带宽度材料；并且，该晶体管采用U形沟道。
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