[发明专利]半导体电容装置

摘要

本发明涉及一种半导体电容装置，至少包括依次叠置的第一金属层、第一介电层、第二金属层；第一金属层包括沿第一分布方向分布且彼此平行的复数条第一金属条，所述第二金属层包括沿第二分布方向分布且彼此平行的复数条第二金属条；沿着第一分布方向分布的第奇数条第一金属条与沿着第二分布方向分布的第奇数条第二金属条通过插塞导通、沿着第一分布方向分布的第偶数条第一金属条与沿着第二分布方向分布的第偶数条第二金属条通过插塞导通。该电容装置的电容量由三个部分组成：每一层金属层中金属条之间的耦合电容，插塞之间形成的耦合电容，相邻金属层的金属条错位形成的耦合电容。本发明可以更进一步的提高电容装置的电容量。

主权项

一种半导体电容装置，至少包括依次叠置的第一金属层、第一介电层、第二金属层；所述第一金属层包括沿第一分布方向分布且彼此平行的复数条第一金属条，第一分布方向与第一金属条的延伸方向垂直；所述第二金属层包括沿第二分布方向分布且彼此平行的复数条第二金属条，第二分布方向与第二金属条的延伸方向垂直，且第二分布方向与第一分布方向空间相离；沿着第一分布方向分布的第奇数条第一金属条与沿着第二分布方向分布的第奇数条第二金属条通过插塞导通、沿着第一分布方向分布的第偶数条第一金属条与沿着第二分布方向分布的第偶数条第二金属条通过插塞导通，或者沿着第一分布方向分布的第奇数条第一金属条与沿着第二分布方向分布的第偶数条第二金属条通过插塞导通、沿着第一分布方向分布的第偶数条第一金属条与沿着第二分布方向分布的第奇数条第二金属条通过插塞导通。