[发明专利]一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，以及生长在SOI衬底上的栅区、源区、沟道区、漂移区、漏区，所述栅区与埋氧层垂直并直接接触，沟道区和漏区之间设有pn柱区上下排列的漂移区，且漂移区中居于下方的柱区与漏区掺杂类型一致。本发明在垂直栅SOI CMOS器件的基础上，将单一掺杂类型的漂移区改造成pn柱区交错的漂移区，尽可能使得漂移区在达到击穿电压时全耗尽，各处电场分布得到优化，电场峰值在漂移区、漂移区与沟道区交界处、漂移区与漏区交界处降低并平坦化，在继承了垂直栅SOI CMOS器件消除浮体效应的基础上，大大提升了SOI LDMOS的抗高压击穿能力。

主权项

一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构，包括SOI衬底，以及生长在SOI衬底上的源区、沟道区、漏区，其特征在于：所述沟道区和漏区之间设有pn柱区上下排列的漂移区，且漂移区中居于下方的柱区与漏区掺杂类型一致。