[发明专利]一种菱形片状氧化铈的制备方法有效
| 申请号： | 200910200963.5 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101734706A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘卫丽;张泽芳;俞磊;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01F17/00 | 分类号： | C01F17/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于无机纳米材料制备技术领域，具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将硝酸铈铵，沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中，搅拌均匀至完全溶解后，进行加热回流反应，反应温度为70～100℃，时间为1～20小时；然后将所得产物离心分离，水洗；然后在30～40℃下低温烘干；最后进行煅烧，煅烧温度为300～1200℃，即可制得菱形片状氧化铈。本发明的制备方法制得的片状菱形氧化铈在化学机械抛光、汽车尾气催化净化、燃料电池、紫外光吸收等诸多高新技术领域有着广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 菱形 片状 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种菱形片状氧化铈的制备方法，包括如下步骤：1)将硝酸铈铵、沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中，经搅拌至完全溶解，形成分布均匀的混合溶液；2)将步骤1)中制得的混合溶液进行加热回流反应，反应温度为70～100℃，加热回流的时间为1～20小时，反应完毕后冷却；3)将步骤2)中制得的沉淀物离心分离后水洗；4)步骤3)中清洗后的沉淀物在30～40℃下低温烘干，然后在300～1200℃煅烧，即可制得菱形片状氧化铈。
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