[发明专利]制作扩散阻挡层的方法有效
| 申请号： | 200910200988.5 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102110639A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制作扩散阻挡层的方法，该方法包括：在反应腔中通入稀释性气体、三甲基硅烷和氨气，利用多频等离子化学气相沉积在填充于互连槽的铜表面和介质层表面淀积一层扩散阻挡层。采用本发明的方法，利用多频等离子化学气相沉积，缩小了扩散阻挡层的折光指数的变化范围，进一步减小了检测获得的器件的击穿电压的变化范围。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 扩散 阻挡 方法 | ||
【主权项】：
一种制作扩散阻挡层的方法，该方法包括：在反应腔中通入稀释性气体、三甲基硅烷和氨气，利用多频等离子化学气相沉积在填充于互连槽的铜表面和介质层表面淀积一层扩散阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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