[发明专利]清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法及接触孔的形成方法有效
| 申请号： | 200910201198.9 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102091703A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;尹晓明;孙武;黄怡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法及接触孔的形成方法。其中清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法，包括：向刻蚀腔室内通入气体，设置预定的工作频率；随着清洗时间的增加减小刻蚀腔室的功率，使刻蚀腔室侧壁的聚合物厚度达到最佳。本发明使在刻蚀腔室内形成的接触孔的线宽达到目标尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 刻蚀 侧壁 聚合物 方法 接触 形成 | ||
【主权项】：
一种清洗刻蚀腔室侧壁聚合物的方法，其特征在于，包括：向刻蚀腔室内通入气体，对刻蚀腔室侧壁的聚合物进行清洗；在设定的工作频率下，随着清洗时间的增加减小刻蚀腔室的功率。
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