[发明专利]用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200910201331.0 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102104048A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 陈静;罗杰馨;伍青青;宁冰旭;薛忠营;肖德元;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78;H01L23/60;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟;尹丽云 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法。所述ESD保护结构包括直接连接SOI衬底体区的外延硅层；外延硅层的两侧为侧氧隔离墙，所述侧氧隔离墙用以划分ESD保护结构与本征有源结构；外延硅层的顶部左右两端分别为ESD保护结构的源漏区；外延硅层的顶部中心位置处向上生长有ESD保护结构的多晶硅栅；ESD保护结构的多晶硅栅与外延硅层之间夹有ESD保护结构的二氧化硅栅介质；ESD保护结构的多晶硅栅与ESD保护结构的二氧化硅栅介质的两侧设有侧氧隔离墙。本发明使泄露电流能够下沉至SOI衬底，且通过外延工艺使得ESD保护结构与有源区本征MOS管处于同一平面，这样便于后续工艺的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘体 技术 mos esd 保护 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种ESD保护结构，其特征在于，所述ESD保护结构包括直接连接SOI衬底体区的外延硅层；外延硅层的两侧为侧氧隔离墙，所述侧氧隔离墙用以划分ESD保护结构与本征有源结构；外延硅层的顶部左右两端分别为ESD保护结构的源漏区；外延硅层的顶部中心位置处向上生长有ESD保护结构的多晶硅栅；ESD保护结构的多晶硅栅与外延硅层之间夹有ESD保护结构的二氧化硅栅介质；ESD保护结构的多晶硅栅与ESD保护结构的二氧化硅栅介质的两侧设有侧氧隔离墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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