[发明专利]判断复合介电层质量的方法有效
| 申请号： | 200910201349.0 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102104014A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李景伦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种判断复合介电层质量的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上化学气相沉积复合介电层，所述复合介电层包括一层或者一层以上低介电常数介电层，和一层或者一层以上低介电常数阻挡层，其中，任意一层低介电常数介电层和低介电常数阻挡层的材料都不相同；对所述复合介电层进行干法蚀刻直至露出半导体衬底，形成凹槽结构；对所述凹槽结构的侧壁进行湿法蚀刻，形成刻蚀程度不同的侧壁结构；对所述复合介电层的侧壁结构进行分析，以便判断复合介电层的质量。本发明提出的判断复合介电层质量的方法，可简单有效地判断复合介电层的质量，节省大量时间。 | ||
| 搜索关键词： | 判断 复合 介电层 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种判断复合介电层质量的方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体衬底上化学气相沉积复合介电层，所述复合介电层包括一层或者一层以上低介电常数介电层，和一层或者一层以上低介电常数阻挡层，其中，任意一层低介电常数介电层和低介电常数阻挡层的材料都不相同；对所述复合介电层进行干法蚀刻直至露出半导体衬底，形成凹槽结构；对所述凹槽结构的侧壁进行湿法蚀刻，形成刻蚀程度不同的侧壁结构；对所述复合介电层的侧壁结构进行分析，以便判断复合介电层的质量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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