[发明专利]一种侧墙回刻方法无效
| 申请号： | 200910201490.0 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097308A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;黄敬勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种侧墙回刻方法，应用在具有栅极、栅氧化层、氧化层侧墙、氮化硅侧墙和金属硅化物的半导体衬底结构上，其中，所述栅氧化层和栅极依次位于半导体衬底上，氧化层侧墙位于所述栅极侧壁，氮化硅侧墙位于所述氧化层侧墙上，源极和漏极位于栅极两侧的半导体衬底中，金属硅化物位于所述源、漏极上以及栅极顶部；该方法包括，首先通过氧化所述金属硅化物，在金属硅化物上形成二氧化硅和金属氧化物混合层；然后回刻氮化硅侧墙。本发明利用含氟气体对二氧化硅和氮化硅刻蚀速率的高选择比，使二氧化硅和金属氧化物混合层作为金属硅化物的保护层，避免随后进行的氮化硅侧墙回刻步骤中所用的含氟刻蚀气体对金属硅化物的侵蚀，保证栅极接触孔、源极接触孔和漏极接触孔的良好欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侧墙回刻 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅侧墙的回刻方法，应用在具有栅极、栅氧化层、氧化层侧墙、氮化硅侧墙和金属硅化物的半导体衬底结构上，其中，所述栅氧化层和栅极依次位于半导体衬底上，氧化层侧墙位于所述栅极侧壁，氮化硅侧墙位于所述氧化层侧墙上，源极和漏极位于栅极两侧的半导体衬底中，金属硅化物位于所述源、漏极上以及栅极顶部；该方法包括：通过氧化所述金属硅化物，在金属硅化物上形成二氧化硅和金属氧化物混合层；回刻氮化硅侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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