[发明专利]对超厚金属沟槽边缘的过刻蚀深度进行监测的方法有效
| 申请号： | 200910201493.4 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097285A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王贵明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了对超厚金属沟槽边缘的过刻蚀深度进行监测的方法，包括：在形成第一层之后，在第二层中形成第一层与第三层的超厚金属沟槽之间的中心通孔，在中心通孔中填入金属构成中心连线，并形成第一层与第三层的超厚金属沟槽边缘的过刻蚀处之间的边缘通孔，在边缘通孔中填入金属构成边缘连线，所述中心连线和所述边缘连线具有相同的横截面积和相同的高度；在第三层中刻蚀超厚金属沟槽，在刻蚀的超厚金属沟槽中填入金属；分别测出中心连线电阻和边缘连线未被包裹部分电阻；根据测出的中心连线电阻和边缘连线未被包裹部分电阻，计算得到超厚金属沟槽边缘过刻蚀的深度。本发明方案能够监测出超厚金属沟槽边缘的过刻蚀深度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 沟槽 边缘 刻蚀 深度 进行 监测 方法 | ||
【主权项】：
一种对超厚金属沟槽边缘的过刻蚀深度进行监测的方法，包括：在形成第一层之后，在第二层中形成第一层与第三层的超厚金属沟槽之间的中心通孔，在中心通孔中填入金属构成中心连线，并形成第一层与第三层的超厚金属沟槽边缘的过刻蚀处之间的边缘通孔，在边缘通孔中填入金属构成边缘连线，所述中心连线和所述边缘连线具有相同的横截面积和相同的高度；在第三层中刻蚀超厚金属沟槽，在刻蚀的超厚金属沟槽中填入金属；分别测出中心连线电阻和边缘连线未被包裹部分电阻；根据测出的中心连线电阻和边缘连线未被包裹部分电阻，计算得到超厚金属沟槽边缘过刻蚀的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
