[发明专利]为SiGe薄膜定量分析制作的标准样品及制备方法有效
| 申请号： | 200910201679.X | 申请日： | 2009-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102042921A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈建钢;季伟;谢烜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;C23C16/42;C23C16/44;C23C16/52;G01N23/04;G01N23/227 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种为SiGe薄膜定量分析制作的标准样品，该标准样品是一个多层结构的SiGe薄膜淀积在Si衬底上；每一层的厚度范围从100埃到2000埃，每一层SiGe薄膜的Ge和Si的原子百分比(at％)不同，其中Ge的范围从0.1at％到99at％。此外，本发明还公开了该标准样品的制备方法，此方法使用CVD技术将具有多层结构的SiGe薄膜淀积在Si衬底上，利用CVD设备中的气相流量计控制进入反应过程中的GeH4和SiH4的化学成分比，并由此可以对每一层的SiGe薄膜粗略估计其Si，Ge的化学组成比；然后使用SIMS对每一层的SiGe的化学组成比进行精确测定。本发明可大大降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | sige 薄膜 定量分析 制作 标准 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种为SiGe薄膜定量分析制作的标准样品，其特征在于，该标准样品是一个多层结构的SiGe薄膜淀积在Si衬底上，该多层结构的SiGe薄膜为三层至二十层，每一层的厚度范围从100埃到2000埃，每一层SiGe薄膜的Ge和Si的原子百分比不同，其中Ge的原子百分比范围从0.1at％到99at％；从Si衬底开始，每一层SiGe薄膜中Ge的原子百分比逐渐增加。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910201679.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种显影装置
- 下一篇：一种景像重置隐身装置
