[发明专利]LDMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910201692.5 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN102044563A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;吕赵鸿 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件，所述LDMOS器件包含：具有第一导电类型的埋层、深阱、阱二、漏区、漂移区、源区、离子注入层；具有第二导电类型的阱一和沟道区；以及漏极、源极、浅沟槽隔离氧化层、栅化层、多晶硅栅。离子注入层形成在浅槽隔离氧化层的正下方的所述漂移区的浅表面处。本发明还公开了一种所述LDMOS器件的制造方法，形成浅槽隔离氧化层包括如下步骤：浅槽隔离氧化层的沟槽刻蚀工艺、清洗工艺；在沟槽中进行离子注入层的离子注入工艺；浅槽隔离氧化层生长的工艺；离子注入层退火激活工艺。本发明能有效的降低LDMOS器件开态电阻同时不会影响LDMOS器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件，所述LDMOS器件包含，一具有第一导电类型的埋层；一具有第一导电类型的深阱，形成在所述埋层上，在所述深阱中形成一第二导电类型的阱一以及一第一导电类型的阱二；一具有第二导电类型的沟道区，形成在所述阱一中；一具有第一导电类型的漏区，形成在所述阱二中，在所述漏区上形成一漏极；一漂移区，由处于所述沟道区和所述漏区间的所述深阱形成；一具有第一导电类型的源区，形成在所述沟道区中，在所述源区上形成一源极；一浅沟槽隔离氧化层，形成在所述漂移区上靠近所述漏区端；一栅化层，形成在所述沟道区上，所述栅氧化层覆盖全部沟道区和部分漂移区并和所述浅槽隔离氧化层相连接；一多晶硅栅，形成在栅氧化层上，所述多晶硅栅覆盖全部所述栅氧化层和部分所述浅槽隔离氧化层；其特征在于：在所述浅槽隔离氧化层的正下方的所述漂移区的浅表面处形成一具有第一导电类型的离子注入层。
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