[发明专利]在表面起伏的衬底上形成小尺寸图形的工艺方法有效
| 申请号： | 200910201756.1 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102054672A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王雷;吴鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种在表面起伏的衬底上形成小尺寸图形的工艺方法。采用可以被湿法刻蚀去除的材料在高低起伏的衬底层上形成覆盖的赝层产生图形占位，然后用可应用于湿法刻蚀的光刻胶形成图形，然后通过湿法刻蚀去除赝层产生小尺寸的图形。采用此方法，可以避免光刻工艺在高低起伏的衬底层上的工艺窗口损失，同时图形由赝层产生，极大提高了图形的分辨率及形貌控制能力，使表面起伏的衬底上形成小尺寸图形成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 起伏 衬底 形成 尺寸 图形 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种在表面起伏的衬底上形成小尺寸图形的工艺方法，其特征是，包括如下步骤：(1)在表面起伏的衬底上全面沉积一层可被湿法刻蚀去除的材料作为赝层；(2)使用各向异性的刻蚀工艺刻蚀赝层形成侧墙；(3)使用不溶解于湿法刻蚀工艺的光刻胶进行光刻形成图形；(4)使用湿法刻蚀工艺去除残留的赝层材料，在表面起伏的衬底上形成小尺寸图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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