[发明专利]利用半导体测试仪读取芯片信息的方法无效
申请号: | 200910201764.6 | 申请日: | 2009-11-05 |
公开(公告)号: | CN102053222A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 朱渊源;辛吉升;桑浚之 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G01R31/317 | 分类号: | G01R31/317;G01R31/3183 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王江富 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种利用半导体测试仪读取芯片信息的方法,序列图形发生器产生图形值并写入图形真值表中,数据比较器根据图形值输出X结果到数据失效存储器,输出Y结果到数据失效存储器;通过测试程序设置数据选择器,设定数字采集器各比特位与芯片测试通道的链接;再把数据失效存储器中的X结果、Y结果值通过数字采集器中的异或逻辑门生成数字采集器的采集使能信号,用来控制将H结果或L结果值传入数字采集器的存储器中同该芯片测试通道对应的存储区间;最后通过后台处理将数字采集器存储器中的数据传入指定的数组变量中。通过本发明的方法可以利用半导体测试仪同时对多颗芯片的信息进行读出操作,并节省测试时间。 | ||
搜索关键词: | 利用 半导体 测试仪 读取 芯片 信息 方法 | ||
【主权项】:
一种利用半导体测试仪读取芯片信息的方法,半导体测试仪包括主机、测试头、数字采集器;所述测试头包括通道电子回路、框架处理器、数据失效存储器、序列图形发生器、数据选择器;所述通道电子回路包括两个比较器及参考电平发生器,被测芯片输出的数据信号接所述两个比较器,分别同参考电平发生器输出的参考高电平及参考低电平进行比较,如果被测芯片输出的数据信号电平小于等于参考低电平,低参考电平比较器输出0,否则输出1,如果被测芯片输出的数据信号电平大于等于参考高电平,高参考电平比较器输出0,否则输出1,从而输出低参考电平比较被测芯片输出的数据和高参考电平比较被测芯片输出的数据两路信号到框架处理器中的数据比较器;所述框架处理器包括数据比较器,所述数据比较器根据序列图形发生器中的图形真值表中的图形值进行动作,当图形值为0、1或X时,所述数据比较器不工作;当图形值为L时,如果低参考电平比较器输出0,则芯片输出的数据测试通过,所述数据比较器输出芯片输出的数据测试通过信号,如果低参考电平比较器输出1,则芯片输出的数据测试失效,所述数据比较器将低参考电平比较器输出作取反处理后作为X结果输出至数据失效存储器,将高参考电平比较器输出直接作为Y结果输出至数据失效存储器;当图形值为H时,如果高参考电平比较器输出0,则芯片输出的数据测试通过,所述数据比较器输出芯片输出的数据测试通过信号,如果高参考电平比较器输出1,则芯片输出的数据测试失效,所述数据比较器将高参考电平比较器输出作取反处理后作为Y结果输出至数据失效存储器,将低参考电平比较器输出直接作为X结果输出至数据失效存储器;当图形值为Z时,数据比较器会做如下处理:将高参考电平比较器输出作取反处理作为Y结果输出至数据失效存储器,将低参考电平比较器输出作取反处理作为X结果输出至数据失效存储器;所述序列图形发生器,其中设置图形真值表,序列图形发生器能产生图形并将图形值写到所述图形真值表,序列图形发生器产生的图形的图形值包括0、1、L、H、Z、X;所述数字采集器包括存储器及异或逻辑门;其特征在于:在读取被测芯片信息时,通过测试程序设置通道电子回路的参考电平发生器的参考高电平、参考低电平,通过通道电子回路的高参考电平比较器、低参考电平比较器两个比较器分别对被测芯片输出的数据信号电平比较,输出低参考电平比较被测芯片输出的数据和高参考电平比较被测芯片输出的数据两路信号到框架处理器中的数据比较器;控制序列图形发生器产生图形值并写入图形真值表中,从而所述数据比较器根据图形真值表中的图形值将低参考电平比较被测芯片输出的数据比较后输出X结果到数据失效存储器,将高参考电平比较被测芯片输出的数据比较后输出Y结果到数据失效存储器;通过测试程序设置数据选择器,设定数字采集器各比特位与芯片测试通道的链接;再把数据失效存储器中的X结果、Y结果值通过数字采集器中的异或逻辑门生成数字采集器的采集使能信号,用来控制将H结果或L结果值传入数字采集器的存储器中同该芯片测试通道对应的存储区间;最后通过后台处理将数字采集器存储器中的数据传入指定的数组变量中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910201764.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。