[发明专利]用KrF及其以下工艺制作半导体器件长方形孔的方法有效
| 申请号： | 200910201772.0 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102054764A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 何伟明;魏芳;朱治国 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用KrF及其以下工艺制作半导体器件长方形孔的方法，包括如下步骤：在长方形孔的位置上，用光刻胶光刻定义尺寸为D1×D2的中空的第一长方形图形，其中D1≤D2；然后在中空长方形图形上涂布光刻胶，并光刻定义尺寸为D3×D4的中空的第二长方形图形，其中D3≤D4，所述第一长方形图形长度为D2的边与所述第二长方形图形长度为D4的边垂直，并且D3≤D2，D1≤D4；对所述第一长方形图形和第二长方形图形所叠加的尺寸为D1×D3的区域进行刻蚀，得到长方形孔。本发明通过两步光刻，形成具有高保真度的小尺寸长方形孔图形，避免了缩头现象的发生，而且所采用的工艺方法成本低廉，容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | krf 及其 以下 工艺 制作 半导体器件 长方形 方法 | ||
【主权项】：
一种用KrF及其以下工艺制作半导体器件长方形孔的方法，其特征在于，包括如下步骤：在长方形孔的位置上，用光刻胶光刻定义尺寸为D1×D2的中空的第一长方形图形，其中D1≤D2；然后在中空长方形图形上涂布光刻胶，并光刻定义尺寸为D3×D4的中空的第二长方形图形，其中D3≤D4，所述第一长方形图形长度为D2的边与所述第二长方形图形长度为D4的边垂直，并且D3≤D2，D1≤D4；对所述第一长方形图形和第二长方形图形所叠加的尺寸为D1×D3的区域进行刻蚀，得到长方形孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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