[发明专利]半导体射频器件的射频测试方法无效
| 申请号： | 200910201789.6 | 申请日： | 2009-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102062834A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 周天舒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体射频器件的射频测试方法，设置对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构，包括待测的半导体射频器件结构和为射频探针的放置而设计的去嵌结构；将去嵌结构的版图文件调入电磁仿真软件，对去嵌结构进行电磁仿真得到去嵌结构的射频参数；对射频测试总结构进行射频测试得到射频测试总结构的射频参数；将对射频测试总结构进行射频测试得到的射频参数减去进行电磁仿真得到的去嵌结构的射频参数，得到待测的半导体射频器件结构的射频参数。本发明的半导体射频器件的射频测试方法，对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构利用不会产生寄生影响的常规去嵌结构，对半导体射频器件进行测试得到的射频参数准确性高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 射频 器件 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体射频器件的射频测试方法，其特征在于，包括以下步骤：一.设置对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构，包括两部分：待测的半导体射频器件结构和为射频探针的放置而设计的去嵌结构；二.将所述去嵌结构的版图文件调入电磁仿真软件，对去嵌结构进行电磁仿真得到去嵌结构的射频参数；对所述射频测试总结构进行射频测试得到射频测试总结构的射频参数；三.将所述对射频测试总结构进行射频测试得到的射频参数减去所述进行电磁仿真得到的去嵌结构的射频参数，得到待测的半导体射频器件结构的射频参数。
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