[发明专利]SONOS闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质膜的制作方法有效
| 申请号： | 200910201852.6 | 申请日： | 2009-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102074471A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 杨欣;孙勤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质膜的制作方法，包括如下步骤：采用高温氨气退火使硅片表面氮化，形成一层氮化层；在硅片表面氮化层上生长氧化铝层作为隧穿电介质膜；在所述隧穿电介质膜上形成氮化硅陷阱层，对该氮化硅陷阱层进行原位掺杂形成氮氧化硅混合物层，作为存储电荷的介质；在所述氮氧化硅混合物层上制备一层电荷阻挡热氧化层。本发明能够有效提高SONOS闪存器件数据保存的可靠性，而且工艺简单，易于集成，可以用于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 闪存 器件 采用 氧化铝 作隧穿 电介质 制作方法 | ||
【主权项】：
一种SONOS闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质膜的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，采用高温氨气退火使硅片表面氮化，形成一层氮化层；第二步，在硅片表面氮化层上生长氧化铝层作为隧穿电介质膜；第三步，在所述隧穿电介质膜上形成氮化硅陷阱层，对该氮化硅陷阱层进行原位掺杂形成氮氧化硅混合物层，作为存储电荷的介质；第四步，在所述氮氧化硅混合物层上制备一层电荷阻挡热氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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