[发明专利]LDMOS及其制造方法有效
| 申请号： | 200910201890.1 | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102088022A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张帅;董科 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/761 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 周赤 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS，在漏端(181)和衬底(10)之间有两个PN结隔离。第一个PN结的P区为p型衬底(10)，N区为n型埋层(11)。第二个PN结的P区为p型外延层(20)，N区为n阱(171)和n型重掺杂区(181)。本发明LDMOS器件的四周还设置了隔离环，所述隔离环由n型重掺杂区(184)、n阱(173)和n阱(12)组成。整个隔离环底部与n型埋层(11)相接触。本发明还公开了所述LDMOS的制造方法。本发明可以有效阻止漏端(181)和衬底(10)之间可能会导通的问题。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS，其特征是，在衬底(10)上具有埋层(11)，再往上则是外延层(20)；外延层(20)中有多个隔离区(13)，这些隔离区(13)将外延层(20)中的阱(12)、阱(171)和阱(172)相互隔离；阱(12)的底部与埋层(11)相接触；阱(12)中具有阱(173)；阱(173)中具有重掺杂区(184)；阱(171)中具有重掺杂区(181)，作为LDMOS器件的漏极；阱(172)中具有重掺杂区(182)和重掺杂区(183)，两者相连作为LDMOS器件的源极；阱(12)之上具有栅氧化层(13)，再往上为栅极(14)，作为LDMOS器件的栅极；栅氧化层(13)和栅极(14)两侧具有侧墙(15)；栅极(14)的下方包括隔离区(13)、n阱(171)、外延层(20)和阱(172)四个部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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