[发明专利]SiGe BiCMOS工艺中的PNP双极晶体管有效
| 申请号： | 200910201914.3 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102088029A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/732;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiGe BiCMOS工艺中的PNP双极晶体管，其有源区是利用浅槽场氧化层隔离，包括集电区、基区和发射区。集电区由位于浅槽底部的P型埋层构成，通过在场氧化层上制作深阱接触引出所述集电区；基区通过在有源区进行N型离子注入形成，基区的周侧为浅槽场氧化层，基区宽度和浅槽的深度相当，基区底部和集电区相连接；在集电区对侧的浅槽底部形成一N型埋层，基区和该N型埋层相连并通过在所述N型埋层上的场氧化层上制作深阱接触引出所述基区；发射区由形成于基区上方的一P型离子注入层或再加一P型多晶硅构成。本发明能缩小PNP晶体管的面积和提高PNP晶体管的电流放大系数。 | ||
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【主权项】：
一种SiGe BiCMOS工艺中的PNP双极晶体管，其有源区是利用浅槽场氧化层隔离，其特征在于，包括：一集电区，由位于浅槽底部的P型埋层构成，通过在场氧化层上制作深阱接触引出所述集电区；一基区，通过在有源区进行N型离子注入形成，所述基区的周侧为浅槽场氧化层，所述基区底部和所述集电区相连接，在所述集电区对侧的浅槽底部形成一N型埋层，所述基区和所述N型埋层相连并通过在所述N型埋层上的场氧化层上制作深阱接触引出所述基区；一发射区，由形成于所述基区上方的一P型离子注入层或再加一P型多晶硅构成，直接通过一金属接触引出所述发射区。
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