[发明专利]实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法

摘要

本发明公开了一种实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法，在硅衬底上形成有埋层、集电区、衬底隔离区的硅片上淀积复合介质膜；采用干法刻蚀所述复合介质膜，定义基区窗口，刻蚀停止在所述复合介质膜的氧化膜上；在基区窗口打开后，复合介质膜的氧化膜去除之前，再淀积一层介质膜层，利用介质膜层在基区窗口界面台阶处形成D形侧墙；同时，利用D形侧墙的保护，湿法去除基区窗口内剩余氧化膜，并外延生长SiGe基区。采用本发明由于D形侧墙的形成使得基区窗口界面台阶处被缓变化，SiGe外延后继续保留由D形侧墙形成的缓变台阶，使其在后续的发射极多晶硅侧墙工艺中无绝缘物残留，从而形成连续的金属硅化物，降低外基区电阻，提高器件性能。

主权项

一种实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在硅衬底上形成有埋层、集电区、衬底隔离区的硅片上淀积复合介质膜；步骤二，采用干法刻蚀所述复合介质膜，定义基区窗口，刻蚀停止在所述复合介质膜的氧化膜上；步骤三，在基区窗口界面台阶处淀积侧墙用介质膜层，再采用干法刻蚀侧墙用介质膜层形成D形侧墙，刻蚀停止在复合介质膜剩余的氧化膜上；步骤四，利用所述复合介质膜和D形侧墙做阻挡层，湿法去除基区窗口内剩余氧化膜，露出SiGe外延用基区；步骤五，在所述基区窗口内进行SiGe外延生长，形成SiGe基极单晶硅层和SiGe外基区，并且由D形侧墙形成从单晶到多晶区缓变的粗糙度分布；步骤六，在所述SiGe基极单晶硅层上形成发射极‑基极隔离区，SiGeNPN器件多晶硅发射极区，发射极区多晶硅侧墙；由D形侧墙形成的基区窗口界面缓变台阶处无绝缘物残留；步骤七，SiGe NPN器件金属硅化物形成，由D形侧墙形成的基区窗口界面缓变台阶处金属硅化物形成连续。